爱普生表面工程技的术半导体行业

在半导体行业中,镀金和化学镀镍应用于反射环,反射阵列和顶部夹头。镀金具有高反射率,导电性和良好的散热性。化学镀镍则具有良好均匀性和耐化学腐蚀性。

微电子的独特电镀


Base Station
用于手机蓝牙系统的无线电频率和无线组件
微电子的独特电镀技术规格
尺寸: 4"(方形晶片)
基体材料: 陶瓷
电镀选项: Ti-Cu + EN / Cu(防止电磁波及腐蚀) 
Si (封装溅射)
溅射厚度: Ti: 10µm, Cu: 50µm
厚度: 3.5 - 100µm
技术挑战
真空镀膜和镀化学镍
利用真空镀钛,镀铜,无电解镀镍的组合技术并且复合成形的粘接
真空镀膜和镀铜
行宽100um的模板成形,
35–50um厚,浑圆度 < 3um的铜柱电镀
直径150 um,深度 <10 um的通孔填充
LED Bulb
三层电镀
TiCu Diagram
成形的LTCC陶瓷板
TiCu Diagram
通孔填充

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湿式和干式综合技术镀镍镀铜PVD

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晶圆的电镀


LED Bulb
LED应用及3G手机晶圆上的电镀程序
微电子的独特电镀技术规格
尺寸: 3"、4"、6"、8"(晶圆)
基体材料: Al-Si
电镀选项: Au(电导率用途)
Au-Sn(芯片粘接用途)
Au-Ni(黏附用途)
厚度: 0.1 - 100µm
技术挑战
Au-Sn 合金电镀
Au80Sn20 (wt%±2), 厚度≥5µm (WIW:±10%), Bow <1mm 均匀的外观延长化学药品的使用时间
晶圆镀金
CE6合金的粘接,表面光洁度
Ra <0.08um Ni1.0um /Au 0.5um
LED Bulb
低熔点(280°C – 300°C)
LED Bulb
Ra = <0.05µm

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镀金镀镍镀铜镀锡

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凸点下金属化技术


UBM
用于连接半导体器件的封装基板
微电子的独特电镀技术规格
尺寸: 4"、6"、8"(晶圆)
基体材料: Al-Si
电镀选项: Ti, Cu, Ni, Au, Ag, Cr
厚度: 0.1 - 100µm
技术挑战
LED Bulb • 以品种的晶圆,提供出色的附着力
• 预防金属的扩散

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镀金镀镍镀铜镀锡镀银

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射频功率晶体管的电镀


Base Station
用于无线电站的射频功率晶体管及其他通讯设备
射频部件的电镀技术规格
基体材料: 陶瓷,Cu-Mo,Cu,Cu-W
电镀选项: Ni-Co / Au(焊接和芯片粘接用途) 
厚度: 1.5 - 3.5µm
技术挑战
LED Bulb
芯片直接连接到基座
在被陶瓷部分分开的两种不同厚度的零件上进行均匀的镀金(Ni±0.9μm Au±0.23μm)

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